| 型号：IRFB9N30A | 类别：FET - 单 | 制造商：Vishay Siliconix |
| 封装：TO-220-3 | 描述：MOSFET N-CH 300V 9.3A TO-220AB | |
详细参数
| 类别 | FET - 单 |
|---|---|
| 描述 | MOSFET N-CH 300V 9.3A TO-220AB |
| 系列 | HEXFET® |
| 制造商 | Vishay Siliconix |
| FET型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET特点 | 标准 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 300V |
| 电流_连续漏极（Id）0a025000C | 9.3A |
| 开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 450 毫欧 @ 5.6A，10V |
| Id时的Vgs（th）111最大222 | 4V @ 250µA |
| 闸电荷（Qg）0a0Vgs | 33nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）0a0Vds | 920pF @ 25V |
| 功率_最大 | 96W |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 供应商设备封装 | TO-220AB |
| 包装 | 管件 |
供应商
| 现代芯城（深圳）科技有限公司 | 董0755-82542579 |
| 深圳市富乐亚科技有限公司 | 郑小姐0755-18503085056 |
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